為更好地滿(mǎn)足超大規(guī)模的數(shù)據(jù)應(yīng)用，憶聯(lián)發(fā)布數(shù)據(jù)中心級(jí)NVMe?SSD——UH711a以及UH711a?E3.S形態(tài)。該系列產(chǎn)品使用自研控制器與長(zhǎng)江存儲(chǔ)128L 3D NAND，專(zhuān)為數(shù)據(jù)中心級(jí)業(yè)務(wù)場(chǎng)景而設(shè)計(jì)。UH711a單盤(pán)容量最高達(dá)7.68TB，能為數(shù)據(jù)庫(kù)、塊存儲(chǔ)、虛擬化、云主機(jī)等應(yīng)用提供高性能的存儲(chǔ)方案，幫助用戶(hù)獲得更優(yōu)的TCO。

(相關(guān)資料圖)

1、性能全面調(diào)優(yōu)，業(yè)務(wù)應(yīng)用顯著提速

UH711a支持高速PCIE Gen4接口，針對(duì)數(shù)據(jù)中心級(jí)業(yè)務(wù)場(chǎng)景及負(fù)載Workload IO模型，在各類(lèi)場(chǎng)景可提供全面的性能優(yōu)化能力，產(chǎn)品順序讀寫(xiě)性能高達(dá)7200/4500 MB/s，隨機(jī)讀寫(xiě)性能高達(dá)1700/230K IOPS。

同時(shí)，針對(duì)互聯(lián)網(wǎng)典型應(yīng)用場(chǎng)景，采用軟化架構(gòu)設(shè)計(jì)，并優(yōu)化IO路徑DB、FSP、HAS和LDPC等硬件資源配置，提升后端NAND顆粒并發(fā)效率，保障互聯(lián)網(wǎng)典型應(yīng)用場(chǎng)景盤(pán)片性能。?

2、SR-IOV with QoS 升級(jí)2.0，助力虛擬化業(yè)務(wù)降本增效

UH711a 通過(guò)使能SR-IOV技術(shù)優(yōu)化云業(yè)務(wù)虛擬機(jī)場(chǎng)景，相比SPDK方案優(yōu)勢(shì)顯著。SR-IOV2.0進(jìn)一步優(yōu)化了Nand物理層隔離度，VF間的性能隔離度更好，隨著隔離度的提高在純讀寫(xiě)及混合場(chǎng)景下分別優(yōu)化到了3%和5%，目前憶聯(lián)SR-IOV 性能及隔離度已達(dá)業(yè)界第一。

3、智能多流2.0，保障業(yè)務(wù)長(zhǎng)期且穩(wěn)定運(yùn)行

采用全新K-mean智能聚類(lèi)算法，提供更精細(xì)的數(shù)據(jù)類(lèi)型識(shí)別顆粒度，進(jìn)一步提高GC時(shí)的效率，使SSD系統(tǒng)性能最大可提升20%。通過(guò)在盤(pán)片內(nèi)部將2種數(shù)據(jù)寫(xiě)入不同的流，降低盤(pán)片的寫(xiě)放大系數(shù)，提升全生命周期的穩(wěn)態(tài)性能以及保障產(chǎn)品生命周期后期階段的可靠性。

此外，UH711a還支持DIF、NS管理等OCP2.0規(guī)范，不僅與系統(tǒng)配合實(shí)現(xiàn)端到端的保護(hù)，也能在盤(pán)內(nèi)實(shí)現(xiàn)獨(dú)立的端到端的保護(hù)機(jī)制，確保盤(pán)內(nèi)整個(gè)通路的數(shù)據(jù)安全，從而為數(shù)據(jù)中心在多種極端場(chǎng)景下的正常運(yùn)維提供雙重保護(hù)。

4、自封顆粒，釋放介質(zhì)原生潛力

依托憶聯(lián)強(qiáng)大的自主封測(cè)技術(shù)，UH711a通過(guò)使能自封TLC介質(zhì)，在不犧牲性能及可靠性的前提下大幅度降低介質(zhì)應(yīng)用成本，充分挖掘介質(zhì)的原生潛力，提供更好的IO性能。

5、憶聯(lián)新一代EDSFF E3.S SSD揭曉

E3.S作為面向云服務(wù)、企業(yè)數(shù)據(jù)中心的NVMe SSD新形態(tài)標(biāo)準(zhǔn)，憑借擴(kuò)展性更強(qiáng)，以及優(yōu)化了整體效能等優(yōu)勢(shì)，已成為數(shù)據(jù)中心SSD未來(lái)發(fā)展方向。憶聯(lián)推出的UH711a?E3.S 形態(tài)，外形尺寸方面，長(zhǎng)112.75mm、寬76mm、厚度為7.5mm，單盤(pán)容量最高達(dá)15.36TB，支持NVMe?1.4。使用新形態(tài)后，產(chǎn)品順序讀寫(xiě)性能高達(dá)7200/4400 MB/s，隨機(jī)讀寫(xiě)性能高達(dá)1700/240K IOPS。該系列產(chǎn)品將于2023年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

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